MTB4N80E1-D
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
MTB4N80E1-D datasheet
-
МаркировкаMTB4N80E1-D
-
ПроизводительON Semiconductor
-
ОписаниеTMOS E-FET High Energy Power FET D2PAK-SL Straight Lead N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate
-
Количество страниц9 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
08.06.2024
07.06.2024
06.06.2024